供应MOS IPG20N06S4L-14,4N06L14
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | IPG20N06S4L-14,PG-TDSON-8,SMD/MOS,双N,60V ,20A,0.0137Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:IPG20N06S4L-14
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±16
雪崩能量EAS(mJ):90
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0137 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2220
通道极性:双Ndzsc/19/1076/19107666.jpg
低频跨导gFS(s)：
温度(℃): -55 ~175
描述:60V,20A,双N, OptiMOS?-T2 Power-Transistor
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方卫贤
- 电话：0755-82814431
- 传真：0755-82814431
- 手机：
- QQ ：
场效应管 LZPF7N65 7N65 PFF4N60
信息内容：dzsc/19/1087/19108799.jpgLZPF7N65,MOS,650V,7A,1.2Ω PFF4N60,MOS,600V,4.1A,2.2Ω,220F Features• Avalanche Rugged Technology• Rugged Gate Oxide Technology• High di/dt Capability• Improved Gate Charge• Wide Expanded Safe Operating AreaApplication•SMPS• High Power Switching•Monitor如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 MTD2N50E T2N50E MTD2N50
信息内容：产品型号:MTD2N50E封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):2源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):323通道极性:N沟道低频跨导gFS(ms)：1.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100温度(℃): -55 ~150描述:500V,2A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
