供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06,CMB7575A
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | CMB80N06,SOT-263,SMD/MOS,N场,60V,80A,0.0078Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Cmosfet | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:CMB80N70
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):68
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
通道极性:N沟道
应用：
电机控制
DC-DC变换器
开关应用
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 TPCA8057-H,TPCA8060-H
信息内容：产品型号:TPCA8057-H封装:PSOP-8源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):42源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2.3功率PD(W):57输入电容Ciss(PF):4300 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.上升时间Tr(ns):4.3 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ.下降时间Tf(ns):6.3 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
场效应管 AOTF8N50,TF8N50,HIRF840F
信息内容：产品型号:AOTF8N50封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.6功率PD(W):38.5输入电容Ciss(PF):868 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：10单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.上升时间Tr(ns):47 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.下降时间Tf(ns):38.5 typ.温度(℃): -55 ~150描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管"
