场效应管 TPCA8057-H,TPCA8060-H
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | TPCA8057-H,QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,42A,0.0026Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Toshiba/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
产品型号:TPCA8057-H
封装:PSOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):42
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):57
输入电容Ciss(PF):4300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229
导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.
上升时间Tr(ns):4.3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ.
下降时间Tf(ns):6.3 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AOTF8N50,TF8N50,HIRF840F
信息内容：产品型号:AOTF8N50封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4.6功率PD(W):38.5输入电容Ciss(PF):868 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：10单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.上升时间Tr(ns):47 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.下降时间Tf(ns):38.5 typ.温度(℃): -55 ~150描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管"
场效应管 AOTF12N60,AOTF12N60L,AOTF10N60
信息内容：产品型号:AOTF12N60L封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):1751 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：20单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ.上升时间Tr(ns):70 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ.下降时间Tf(ns):74 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管"
