场效应管 AOTF8N50,TF8N50,HIRF840F
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | AOTF8N50,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:AOTF8N50
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.6
功率PD(W):38.5
输入电容Ciss(PF):868 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307
导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.
上升时间Tr(ns):47 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.
下降时间Tf(ns):38.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管
"- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AOTF12N60,AOTF12N60L,AOTF10N60
信息内容：产品型号:AOTF12N60L封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):1751 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：20单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ.上升时间Tr(ns):70 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ.下降时间Tf(ns):74 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管"
场效应管 AON6788 6788 AON6754
信息内容：产品型号:AON6788概述SRFET AON6788一个单片集成肖特基二极管采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。这个装置是适合用于作为一个低侧FET在SMPS中，负载开关和一般用途。封装:QFN-8 5*6/DFN5X6源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±12漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2功率PD(W):78输入电容Ciss(PF):4380 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：115单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.上升时间Tr(ns):6 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.下降时间Tf(ns):7 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,80A,0.004Ω N-沟道增强型场效应晶体管(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
