12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7465TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7465TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 1.9A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 150V |
SMPSMOSFET
HEXFET®功率MOSFET
| VDSS | RDS(on) max | ID |
| 150V | 0.28?@VGS= 10V | 1.9A |
参数
| FET 类型 | FET 功能 | 漏源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） | 不同 Id 时的 Vgs(th)（值） | 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 功率 - 值 |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 | 标准 | 150V | 1.9A | 280 毫欧 @ 1.14A，10V | 5.5V @ 250µA | 15nC @ 10V | 330pF @ 25V | 2.5W |
应用
高频率DC-DC转换器
优点
低栅极漏极电荷减少
开关损耗
充分界定电容包括
有效COSS简化设计（见
应用程序。注AN1001）
充分界定雪崩电压
和电流
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- 所属城市：广东 深圳
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深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7201TRPBF场效应管
信息内容：代V技术超低导通电阻N-沟道MOSFET表面贴装可在磁带和卷轴动态dv / dt额定值快速切换第五代HEXFET®功率MOSFET国际整流器采用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFETMOSFET是众所周知的，提供了设计师与一个非常有效和可靠的设备用于各种各样的应用中。SO-8已被修改通过定制的引线框架和热特性增强多模能力，使其成为理想中各种功耗的应用。有了这些改进，多在一个应用程序的器件可用于与显着减少电路板空间。该软件包是专为汽相，红外线，或波峰焊技术。大于0.8W的功耗有可能在一个典型的PCB装载应用程序。公司简介深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”，常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道，品种齐全，具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 公司经营产品广泛：存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、...
12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7495TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 7.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 22 毫欧 @ 4.4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1530pF @ 25V功率 - 值 2.5W应用高频率DC-DC转换器优点低栅极漏极电荷减少开关损耗充分界定电容包括有效COSS为了简化设计，（见应用程序。注AN1001）充分界定雪崩电压和电流封装图片展示dzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpgdzsc/19/1291/19129106.jpg
