供应场效应管 CMD06N02N,CMD04N03,04N03
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | CMD06N02N,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,60A,0.006Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Cmosfet | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:CMD06N02N,
封装:SOT-252
类型:SMD/MOS
极性:N场
参数：68V,80A
产品型号:CMD06N02N
封装:TO-251
类型:DIP/MOS
极性:N场
参数：68,80A
金城微:零件在珠三角地区现已建立4个营业网点，服务范围辐射珠三角、遍及全国各个地区，为终端生产厂商提供元器件一站式服务。金城微零件坐落于福田区华富路航都大厦，设有业务部，外贸部，财务部，技术部，物流部等主要部门。公司在新亚洲电子商城一期和都会电子城设有门市部，长期备有大量现货，竭诚为广大客户提供便利、优质、高效、及时的服务。公司整个团队本着诚信务实的理念，以卓越品质和优质服务在业界赢得了广泛认可。
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60
信息内容：产品型号:CMD2N60封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):2源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):45输入电容Ciss(PF):220 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120温度(℃): -55 ~150描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管 General Description(概述) 该2n60已采用先进的高电压晶体管的过程，目的是提供高水平的性能和稳定性在流行的交直流应用。 Features(特点) 2.0A，600V，RDS（ON）= 5Ω@ VGS= 10V 快速开关 100％雪崩测试 优越的dv/dt能力 APPLICATIONS(应用) 电源供应器功率因数校正大电流，高速开关"
场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D
信息内容：产品型号:TK12A65D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):2300 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.上升时间Tr(ns):90 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.下降时间Tf(ns):150 typ.温度(℃): -55 ~150描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
