场效应管 CMD2N60,CMD1N60,1N60,2N60
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | CMD2N60,SOT-252,SMD/MOS,N场,600V,2A,5Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Cmosfet | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:CMD2N60
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):220 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
General Description(概述)
该2n60已采用先进的高电压晶体管的过程，目的是提供高水平的性能和稳定性在流行的交直流应用。
Features(特点)
2.0A，600V，RDS（ON）= 5Ω@ VGS= 10V
快速开关
100％雪崩测试
优越的dv/dt能力
APPLICATIONS(应用)
电源供应器
功率因数校正
大电流，高速开关
"- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D
信息内容：产品型号:TK12A65D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):50输入电容Ciss(PF):2300 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.上升时间Tr(ns):90 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.下降时间Tf(ns):150 typ.温度(℃): -55 ~150描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
场效应管 2SK3688,2SK3688-01S,K3688
信息内容：产品型号:2SK3688-01S封装:SOT-263源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):16源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):270输入电容Ciss(PF):1590 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：13单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.上升时间Tr(ns):16 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.下降时间Tf(ns):8 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管"
