场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | TK12A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,12A,0.54Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Toshiba/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK12A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
上升时间Tr(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
下降时间Tf(ns):150 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 2SK3688,2SK3688-01S,K3688
信息内容：产品型号:2SK3688-01S封装:SOT-263源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):16源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):5功率PD(W):270输入电容Ciss(PF):1590 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：13单脉冲雪崩能量EAS(mJ):242.7导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.上升时间Tr(ns):16 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):58 typ.下降时间Tf(ns):8 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,16A N-沟道增强型场效应晶体管"
供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06,CMB7575A
信息内容：产品型号:CMB80N70源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):68夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4通道极性:N沟道应用：电机控制DC-DC变换器开关应用金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。 "
