供应场效应管 APM2055NU APM2055
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 10A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | APM2055NU,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,10A,0.07Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | APM/茂达 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 低频噪声系数： | - | |
| 极间电容： | 380 |
产品型号:APM2055NU
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±16
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):380
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:20V,10A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 MTD1N50E T1N50E MTD1N50
信息内容：产品型号:MTD1N50E封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):1源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):215通道极性:N沟道低频跨导gFS(ms)：0.9单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45温度(℃): -55 ~150描述:500V,1A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D
信息内容：产品型号:TK5A65D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):800 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.上升时间Tr(ns):20 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.下降时间Tf(ns):12 typ.温度(℃): -55 ~150描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管"
