场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | TK5A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,5A,1.43Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | Toshiba/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK5A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
"- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 SI2310,CA2TF,SI2324DS,SI2324
信息内容：产品型号:Si2310描述 的MOSFET利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和成本效益的设备。SOT-23封装，普遍适用于所有商业工业应用。封装:SOT-23源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):3源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.09 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2功率PD(W):1.38输入电容Ciss(PF):490 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.上升时间Tr(ns):5 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.下降时间Tf(ns):3 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,3.6A N-沟道增强型场效应晶体管FEATURES 简单的驱动要求 小型封装 表面贴装器件
供应场效应管 CMD06N02N,CMD04N03,04N03
信息内容：产品型号:CMD06N02N,封装:SOT-252类型:SMD/MOS极性:N场参数：68V,80A产品型号:CMD06N02N封装:TO-251类型:DIP/MOS极性:N场参数：68,80A 金城微:零件在珠三角地区现已建立4个营业网点，服务范围辐射珠三角、遍及全国各个地区，为终端生产厂商提供元器件一站式服务。金城微零件坐落于福田区华富路航都大厦，设有业务部，外贸部，财务部，技术部，物流部等主要部门。公司在新亚洲电子商城一期和都会电子城设有门市部，长期备有大量现货，竭诚为广大客户提供便利、优质、高效、及时的服务。公司整个团队本着诚信务实的理念，以卓越品质和优质服务在业界赢得了广泛认可。dzsc/19/0961/19096104.jpg
