场效应管 MTD1N50E T1N50E MTD1N50
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 1A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | MTD1N50E,MOS,500V,1A,5Ω,252 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 315 |
产品型号:MTD1N50E
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):215
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(ms)：0.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45
温度(℃): -55 ~150
描述:500V,1A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 TK5A65D,TK5A65,K5A65D
信息内容：产品型号:TK5A65D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40输入电容Ciss(PF):800 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：2.6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.上升时间Tr(ns):20 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.下降时间Tf(ns):12 typ.温度(℃): -55 ~150描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管"
场效应管 SI2310,CA2TF,SI2324DS,SI2324
信息内容：产品型号:Si2310描述 的MOSFET利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和成本效益的设备。SOT-23封装，普遍适用于所有商业工业应用。封装:SOT-23源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):3源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.09 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):2功率PD(W):1.38输入电容Ciss(PF):490 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.上升时间Tr(ns):5 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.下降时间Tf(ns):3 typ.温度(℃): -55 ~150描述:30V,3.6A N-沟道增强型场效应晶体管FEATURES 简单的驱动要求 小型封装 表面贴装器件
