价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP7N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | TV/电视 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 8500(μS) | |
极间电容: | 750(pF) | |
耗散功率: | 131000(mW) |
VDS:600V ID:7A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护
•耗散功率:131W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
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•VDS=100V•ID=30A•RDS(ON)=0.033Ω•耗散功率:PD=30W @TC=25°C•储存温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=600V • ID=11A• 导通电阻:R<0.45Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-65 ~ 150°C