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供应 美格拉(纳)MOS—MDP7N60TH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP7N60TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:TV/电视
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:5(V)
跨导:8500(μS)
极间电容:750(pF)
耗散功率:131000(mW)

  VDS:600V  ID:7A  RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护

•耗散功率:131W

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
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  • 联系人: 何军
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信息内容:

•VDS=100V•ID=30A•RDS(ON)=0.033Ω•耗散功率:PD=30W @TC=25°C•储存温度范围:-55 ~ 150°C

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• VDS=600V • ID=11A• 导通电阻:R<0.45Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-65 ~ 150°C

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