价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STB11NM60FD | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 5200(μS) | |
极间电容: | 900(pF) | |
漏极电流: | 11000(mA) | |
耗散功率: | 160000(mW) |
• VDS=600V
• ID=11A
• 导通电阻:R<0.45Ω
• 总耗散功率:160W
• 工作温度范围:-65 ~ 150°C
900V N-Channel MOSFET4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω @VGS = 10 V
FeaturesVDS = 40VID = 50A @VGS = 10VRDS(ON)< 8.0mΩ@ VGS = 10V< 10.5mΩ@ VGS = 4.5V