价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD1752RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
开启电压: | 3(V) | |
跨导: | 58000(μS) | |
极间电容: | 1480(pF) | |
漏极电流: | 50000(mA) | |
耗散功率: | 32000(mW) |
Features
VDS = 40V
ID = 50A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 8.0mΩ@ VGS = 10V
< 10.5mΩ@ VGS = 4.5V
N-Channel MOSFET 650V, 14A, 0.46适用于:开关电源,PFC,高电流、快速转换开关 •封装类型:TO-220F •VDS=650V •ID= 14A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 0.46Ω @ VGS = 10V •耗散功率:36.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "
•封装形式:TO-263•导通电阻:RDS(ON)=32mΩ•栅极电荷量:QGD=42nC• 反向恢复时间:Trr=210nS•漏极电流:ID=60A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C