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供应 美格拉(纳)MOS—MDD1752RH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD1752RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:CHIP/小型片状
开启电压:3(V)
跨导:58000(μS)
极间电容:1480(pF)
漏极电流:50000(mA)
耗散功率:32000(mW)

 Features
VDS = 40V
ID = 50A @VGS = 10V
RDS(ON)
< 8.0mΩ@ VGS = 10V
< 10.5mΩ@ VGS = 4.5V

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
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N-Channel MOSFET 650V, 14A, 0.46适用于:开关电源,PFC,高电流、快速转换开关 •封装类型:TO-220F •VDS=650V •ID= 14A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 0.46Ω @ VGS = 10V •耗散功率:36.7W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "

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•封装形式:TO-263•导通电阻:RDS(ON)=32mΩ•栅极电荷量:QGD=42nC• 反向恢复时间:Trr=210nS•漏极电流:ID=60A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C

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