价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | 2SK3708 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 2.6(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 28000(μS) | |
极间电容: | 4200(pF) | |
漏极电流: | 30000(mA) | |
耗散功率: | 2000(mW) |
•VDS=100V
•ID=30A
•RDS(ON)=0.033Ω
•耗散功率:PD=30W @TC=25°C
•储存温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=600V • ID=11A• 导通电阻:R<0.45Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-65 ~ 150°C
900V N-Channel MOSFET4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω @VGS = 10 V