特价批发2SC3356-R25高频三极管
| 价 格： | 0.15 | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 2SC3356-R25 | |
| 应用范围： | 微波 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCBO： | 20（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 120（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 200m（W） | |
| 截止频率fT： | 7000（MHz） | |
| 结构： | 平面型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 树脂封装 |
北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。SC3356为本公司在原有军工微波雷达晶体管研制生产的丰富经验基础上推出的，其同NEC公司的同型号芯片具有相同的性能参数，欢迎广大客户使用。
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2SC3838-SOT323高频微波三极管 电子元器件 价格优惠
信息内容：dzsc/19/1175/19117595.jpg 北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。 dzsc/19/1175/19117595.jpgdzsc/19/1175/19117595.jpgdzsc/19/1175/19117595.jpg"
供应优质高频微波三极管 BFG425W-SOT89 厂家批发
信息内容：BFG425W参数: 类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：4.5Vdzsc/19/1279/19127940.jpg 集电极-基极电压VCBO:10V 发射极-基极电压VEBO:1.0V 集电极直流电流IC:20-30mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.135W 工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃ 封装形式：SOT-343R 功率特性：中功率 极性：NPN型 结构：扩散型 材料：锗硅 封装材料：塑料封装电性能参数（TA=25℃）： 击穿电压:V(BR)CEO=4.5V,V(BR)CBO=10V,V(BR)EBO=1.0V 直流放大系数hFE:50～120 @VCE=2V,IC=25mA 集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值) 发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值) 特征频率fT:25.0GHz@ VCE=2V,IC=25mA 集电极允许电流IC：0.03（A） 集电极允许耗散功率PT：0.135（W） 功率增益GUM：20dB@IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz反馈电容Cre：0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。 "
