供应优质高频微波三极管 BFG425W-SOT89 厂家批发
| 价 格： | 0.32 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | BFG425W-SOT343 | |
| 材料： | 锗(Ge) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 微波 |
BFG425W参数:
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：4.5Vdzsc/19/1279/19127940.jpg
集电极-基极电压VCBO:10V
发射极-基极电压VEBO:1.0V
集电极直流电流IC:20-30mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.135W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-343R
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：锗硅
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=4.5V,V(BR)CBO=10V,V(BR)EBO=1.0V
直流放大系数hFE:50～120 @VCE=2V,IC=25mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
特征频率fT:25.0GHz@ VCE=2V,IC=25mA
集电极允许电流IC：0.03（A）
集电极允许耗散功率PT：0.135（W）
功率增益GUM：20dB@IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz
反馈电容Cre：0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。
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高增益的BFQ591高频三极管-国内生产，可替代飞利浦同型号
信息内容：北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。BFQ591为本公司在原军工用微波雷达功率器件研制生产的基础上，国内推出的微波器件，其同PHILIPS公司同型号产品以及NEC公司的2SC3357-RF具有相同的性能参数，在国内推出该产品，其增益高、噪声小、参数一致性好，广泛应用在视频模块、卫星电视高频头、雷达感应开关上，是国内客户降低成本、提高产品性能的理想选择，欢迎广大客户使用。dzsc/19/1290/19129030.jpgdzsc/19/1290/19129030.jpgdzsc/19/1290/19129030.jpgdz...
高频三极管
信息内容：简介 BFQ591硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特 性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片 原产于philips公司，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场 研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同 NEC、philips同类产品相同。 BFQ591参数 类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：15V 集电极-基极电压VCBO:20V 发射极-基极电压VEBO:3.0V 集电极直流电流IC:200mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W 工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃ 封装形式：SOT-89 功率特性：中功率 极性：NPN型 结构：扩散型 材料：硅(Si) 封装材料：塑料封装 电性能参数（TA=25℃）： 击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA 集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值) 发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值) ...
