高频三极管
| 价 格： | 0.29 | |
| 品牌/型号： | TOPLINK/BFQ591 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 频率特性： | 7GHz | |
| 类别： | 贴片 | |
| 封装形式： | SOT-89 | |
| 电流放大系数： | 60-150 | |
| 装配方式： | 无引线表面组装 | |
| 反向电压： | 20V | |
| 批号： | 2012 | |
| 电流容量： | 中功率 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 反向电流： | 0.000001A | |
| 耗散功率： | 2250mW | |
| 集电极电流ICm： | 200mA | |
| 材料： | 硅 | |
| 频率类型： | 超高频MHz | |
| 结构： | 平面型 |
简介
BFQ591硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特 性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片 原产于philips公司，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场 研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同 NEC、philips同类产品相同。
BFQ591参数
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电极-发射极电压VCEO：15V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:200mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-89
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)
特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
集电极允许电流IC：0.2（A）
集电极允许耗散功率PT：2.25（W）
插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
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2SC3356高频三极管
信息内容：简介 2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。其原产于NEC公司，具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。 本公司运用原有军工相控阵雷达用大功率微波三极管生产技术，开发了系列民用高频三极管，2SC3356\BFQ591，BFR540，PBR951等产品。 参数 类别： NPN-硅通用晶体管 集电极-发射极电压VCEO：12V 集电极-基极电压VCBO:20V 发射极-基极电压VEBO:3.0V 集电极直流电流IC:100mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW 工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃ 电性能参数（TA=25℃）： 击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0 直流放大系数hFE:50~300 集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值) 发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值) 特征频率fT:7.0GHz 封装：SOT-23 功率特性：中功率 极性：NPN型 结构：扩散型 材料：硅(Si) 封装材料：塑料封装 集电极允许电流：0.1（A） 集电极允许耗散功率：0.2（W）
