2SC3838-SOT323高频微波三极管 电子元器件 价格优惠
| 价 格： | 0.13 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | 2SC3838-SOT323-R25 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 微波 |
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北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
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供应优质高频微波三极管 BFG425W-SOT89 厂家批发
信息内容：BFG425W参数: 类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电极-发射极电压VCEO：4.5Vdzsc/19/1279/19127940.jpg 集电极-基极电压VCBO:10V 发射极-基极电压VEBO:1.0V 集电极直流电流IC:20-30mA 总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.135W 工作结温Tj:150℃ 贮存温度Tstg:-65~150℃ 封装形式：SOT-343R 功率特性：中功率 极性：NPN型 结构：扩散型 材料：锗硅 封装材料：塑料封装电性能参数（TA=25℃）： 击穿电压:V(BR)CEO=4.5V,V(BR)CBO=10V,V(BR)EBO=1.0V 直流放大系数hFE:50～120 @VCE=2V,IC=25mA 集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值) 发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值) 特征频率fT:25.0GHz@ VCE=2V,IC=25mA 集电极允许电流IC：0.03（A） 集电极允许耗散功率PT：0.135（W） 功率增益GUM：20dB@IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz反馈电容Cre：0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。 "
高增益的BFQ591高频三极管-国内生产，可替代飞利浦同型号
信息内容：北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。BFQ591为本公司在原军工用微波雷达功率器件研制生产的基础上，国内推出的微波器件，其同PHILIPS公司同型号产品以及NEC公司的2SC3357-RF具有相同的性能参数，在国内推出该产品，其增益高、噪声小、参数一致性好，广泛应用在视频模块、卫星电视高频头、雷达感应开关上，是国内客户降低成本、提高产品性能的理想选择，欢迎广大客户使用。dzsc/19/1290/19129030.jpgdzsc/19/1290/19129030.jpgdzsc/19/1290/19129030.jpgdz...
