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供应JBL单向可控硅X0405MF(中国可控硅批发商)

价 格: 0.49
品牌/商标:JBL
型号/规格:X0405MF
控制方式:单向
极数:三极
封装材料:塑料封装
封装外形:TO-202
关断速度:普通
散热功能:不带散热片
频率特性:中频
功率特性:中功率
额定正向平均电流:4(A)
控制极触发电流:1-100(mA)
稳定工作电流:4(A)
反向重复峰值电压:600(V)

X0402MF单向可控硅

特 点

先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发 电流,通态压降低。

用 途

广泛应用于各种开关器、小型马达控制器、 彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑 集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点 火器等线路功率控制。

产品类别: 单向可控硅-SCRs

器件型号: X0402MF

封装形式: TO-202-3

脚位排列: C-G-A

主要参数:

电流-IT(RMS): 2.0A

电压-V(DRM): ≥600V

触发电流:IGT: 5~200uA

元件品牌:JBL/杰宝莱科技

制 造 商: JBL/杰宝莱科技

出 产 地: 中国

出厂日期: 2005

包装规格: 袋装/盒装,TO-202-3,每袋250只,每盒500只

出货规格: 5K起出货

库存状况: 现货供应

可供现货: 10000只

销售状态: 款到发货

杰宝莱是中国大陆可控硅制造商新主流,是的混合型分销商,是中国贴片可控硅的首创者,杰宝莱以市场开拓和芯片设计为重点,着重研发生产单、双可控硅、贴片可控硅和DK系列开关晶体管。2011,公司入股国内一流半导体封装企业,年产值近1.3亿人民币,工厂现有固定资产5000万元,占地面积8000多平方米,建筑面积6000多平方米,其中10010000级净化厂房4000多平方米,依照ISO9001国际质量体系组织经营生产,早于2001年通过ISO90012000国际质量体系认证,产品品质通过美国UL认定,及欧盟ROSHREACH环保认证。

目前产品已涉及到摩托车电装电路、漏电保护器电路、电动工具开关电路、调光灯、触摸灯、绳索灯、圣诞灯、大功率卤素灯等控制电路、以及开关电源器、各式控制板、通信、家电类、消费电子类产品。

   公司主要生产JBL杰宝莱直插单双向可控硅、贴片单双向可控硅,代理优势销售全新原装长电、STIRNXPFAIRCHILDTISHARP等国内外品牌的可控硅、三端稳压器三极管光耦及常用集成电路IC电子元件。我司常年与国内外各大知名生产商合作,坚持诚信效率、质量的原则,产品质量可靠优良;为此赢得了同行的尊敬和客户的信赖。

   “杰宝莱”公司一直秉着“质量,货源稳定,交货快捷,价格合理”的宗旨,为广大客户提供质的产品,让客户购买放心用得称心,让其产品达至异的效果。我司配有专门的质量跟踪服务及售后服务,能为广大客户解决一些技术上的疑难问题,适应市场多方面的发展需求。

欢迎来电来函咨询!杰宝莱科技真诚与你合作、共创高峰!!

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深圳市杰宝莱科技发展有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 罗海平
  • 电话:755-83769918
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供应4A强触发双向可控硅BT136-600E(图)

信息内容:

中国可控硅批发商产品类别:BT136-600E产品类别:4A 塑封 强触发双向可控硅-TRIACs封装外形:TO-220管脚排列:T1-T2-G特 点: 先进的玻璃钝化芯片、较低的通态压降低,较高的可靠稳定性。用途:可用于调光,调温等调压电路,微波炉,洗衣机,空调,电风扇,饮水机,夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控,斩波器,逆变器和变频器等电路中.电流/IT(RMS):≤4A电压/VDRM:≥600V触发电流/IGT: ≤4mA工作温度/Tj:-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃)器件品牌:JBL(请认准方能购买,提防假冒)包装规格:50PCS/管,1000PCS/合供应状况:大量现货供应,欢迎订货。价格说明:现金(可含17%增值税票,详情洽谈)

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原装NXP可控硅BT139-600E

信息内容:

dzsc/19/0843/19084399.jpg 公司中文域名:杰宝莱公司网络实名:中国可控硅批发商 贴片可控硅公司主页:http://jbl-sz.com阿里巴巴网站:http://jepoler.cn.alibaba.com http://jblchj.cn.alibaba.comQQ:118146485SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNITVDRMRepetitive peak off-statevoltages --5005001-6006001-800800VIT(RMS)ITSMRMS on-state current Non-repetitive peakfull sine wave; Tmb £99 °C full sine wave; Tj= 25 °C prior to-16A on-state currentsurge t = 20 ms-140A t = 16.7 ms-150AI2tI2t for fusingt = 10 ms-98A2sdIT/dtRepetitive rate of rise ofITM= 20 A; IG= 0.2 A; on-state current afterdIG/dt = 0.2 A/ms triggeringT2 G -50A/ms T2 G-T2- G---50 50A/ms A/ms T2- G -10A/msIGMPeak gate current -2AVGMPeak gate voltage -5VPGMPeak gate power -5WPG(AV)TstgTjAverage gate power Storage temperature Operating junctionover any 20 ms period--40 -0.5 150 125W °C °C temperature

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