价 格: | 0.49 | |
品牌/商标: | JBL | |
型号/规格: | X0405MF | |
控制方式: | 单向 | |
极数: | 三极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | TO-202 | |
关断速度: | 普通 | |
散热功能: | 不带散热片 | |
频率特性: | 中频 | |
功率特性: | 中功率 | |
额定正向平均电流: | 4(A) | |
控制极触发电流: | 1-100(mA) | |
稳定工作电流: | 4(A) | |
反向重复峰值电压: | 600(V) |
X0402MF单向可控硅
特 点
先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发 电流,通态压降低。
用 途
广泛应用于各种开关器、小型马达控制器、 彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑 集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点 火器等线路功率控制。
产品类别: 单向可控硅-SCRs
器件型号: X0402MF
封装形式: TO-202-3
脚位排列: C-G-A
主要参数:
电流-IT(RMS): 2.0A
电压-V(DRM): ≥600V
触发电流:IGT: 5~200uA
元件品牌:JBL/杰宝莱科技
制 造 商: JBL/杰宝莱科技
出 产 地: 中国
出厂日期: 2005
包装规格: 袋装/盒装,TO-202-3,每袋250只,每盒500只
出货规格: 5K起出货
库存状况: 现货供应
可供现货: 10000只
销售状态: 款到发货
杰宝莱是中国大陆”可控硅”制造商新主流,是的混合型分销商,是中国贴片可控硅的首创者,杰宝莱以市场开拓和芯片设计为重点,着重研发生产单、双可控硅、贴片可控硅和DK系列开关晶体管。2011年,公司入股国内一流半导体封装企业,年产值近1.3亿人民币,工厂现有固定资产5000万元,占地面积8000多平方米,建筑面积6000多平方米,其中100—10000级净化厂房4000多平方米,依照ISO9001国际质量体系组织经营生产,早于2001年通过ISO9001:2000国际质量体系认证,产品品质通过美国UL认定,及欧盟ROSH、REACH环保认证。
目前产品已涉及到摩托车电装电路、漏电保护器电路、电动工具开关电路、调光灯、触摸灯、绳索灯、圣诞灯、大功率卤素灯等控制电路、以及开关电源器、各式控制板、通信、家电类、消费电子类产品。
公司主要生产JBL杰宝莱直插单双向可控硅、贴片单双向可控硅,代理优势销售全新原装长电、ST、IR、NXP、FAIRCHILD、TI、SHARP等国内外品牌的可控硅、三端稳压器、三极管、光耦及常用集成电路IC电子元件。我司常年与国内外各大知名生产商合作,坚持诚信效率、质量的原则,产品质量可靠优良;为此赢得了同行的尊敬和客户的信赖。
“杰宝莱”公司一直秉着“质量,货源稳定,交货快捷,价格合理”的宗旨,为广大客户提供质的产品,让客户购买放心用得称心,让其产品达至异的效果。我司配有专门的质量跟踪服务及售后服务,能为广大客户解决一些技术上的疑难问题,适应市场多方面的发展需求。
欢迎来电来函咨询!杰宝莱科技真诚与你合作、共创高峰!!
"中国可控硅批发商产品类别:BT136-600E产品类别:4A 塑封 强触发双向可控硅-TRIACs封装外形:TO-220管脚排列:T1-T2-G特 点: 先进的玻璃钝化芯片、较低的通态压降低,较高的可靠稳定性。用途:可用于调光,调温等调压电路,微波炉,洗衣机,空调,电风扇,饮水机,夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控,斩波器,逆变器和变频器等电路中.电流/IT(RMS):≤4A电压/VDRM:≥600V触发电流/IGT: ≤4mA工作温度/Tj:-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃)器件品牌:JBL(请认准方能购买,提防假冒)包装规格:50PCS/管,1000PCS/合供应状况:大量现货供应,欢迎订货。价格说明:现金(可含17%增值税票,详情洽谈)
dzsc/19/0843/19084399.jpg 公司中文域名:杰宝莱公司网络实名:中国可控硅批发商 贴片可控硅公司主页:http://jbl-sz.com阿里巴巴网站:http://jepoler.cn.alibaba.com http://jblchj.cn.alibaba.comQQ:118146485SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNITVDRMRepetitive peak off-statevoltages --5005001-6006001-800800VIT(RMS)ITSMRMS on-state current Non-repetitive peakfull sine wave; Tmb £99 °C full sine wave; Tj= 25 °C prior to-16A on-state currentsurge t = 20 ms-140A t = 16.7 ms-150AI2tI2t for fusingt = 10 ms-98A2sdIT/dtRepetitive rate of rise ofITM= 20 A; IG= 0.2 A; on-state current afterdIG/dt = 0.2 A/ms triggeringT2 G -50A/ms T2 G-T2- G---50 50A/ms A/ms T2- G -10A/msIGMPeak gate current -2AVGMPeak gate voltage -5VPGMPeak gate power -5WPG(AV)TstgTjAverage gate power Storage temperature Operating junctionover any 20 ms period--40 -0.5 150 125W °C °C temperature