原装NXP可控硅BT139-600E
| 价 格： | 1.88 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格： | BT139 | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | TO-220 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 散热功能： | 带散热片 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 额定正向平均电流： | 16（A） | |
| 控制极触发电流： | 1-100（mA） | |
| 稳定工作电流： | 16.8（A） | |
| 反向重复峰值电压： | 600（V） |
dzsc/19/0843/19084399.jpg
公司中文域名：杰宝莱
公司网络实名：中国可控硅批发商 贴片可控硅
公司主页：http://jbl-sz.com
阿里巴巴网站：http://jepoler.cn.alibaba.com
http://jblchj.cn.alibaba.com
QQ：118146485
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN. | MAX. | UNIT | ||
VDRM | Repetitive peak off-state voltages |
| - | -500 5001 | -600 6001 | -800 800 | V |
IT(RMS)ITSM | RMS on-state current Non-repetitive peak | full sine wave; Tmb £99 °C full sine wave; Tj= 25 °C prior to | - | 16 | A | ||
| on-state current | surge |
|
|
| ||
|
| t = 20 ms | - | 140 | A | ||
|
| t = 16.7 ms | - | 150 | A | ||
I2t | I2t for fusing | t = 10 ms | - | 98 | A2s | ||
dIT/dt | Repetitive rate of rise of | ITM= 20 A; IG= 0.2 A; |
|
|
| ||
| on-state current after | dIG/dt = 0.2 A/ms |
|
|
| ||
| triggering | T2 G | - | 50 | A/ms | ||
|
| T2 G-T2- G- | -- | 50 50 | A/ms A/ms | ||
|
| T2- G | - | 10 | A/ms | ||
IGM | Peak gate current |
| - | 2 | A | ||
VGM | Peak gate voltage |
| - | 5 | V | ||
PGM | Peak gate power |
| - | 5 | W | ||
PG(AV)TstgTj | Average gate power Storage temperature Operating junction | over any 20 ms period | --40 - | 0.5 150 125 | W °C °C | ||
| temperature |
|
|
|
| ||
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 罗海平
- 电话：755-83769918
- 传真：755-83769918
- 手机：
- QQ ：
批发，可控硅，BT138 600E，NXP恩智浦
信息内容：dzsc/19/0844/19084404.jpg公司中文域名：杰宝莱公司网络实名：中国可控硅批发商 贴片可控硅公司主页：http://jbl-sz.com阿里巴巴网站：http://jepoler.cn.alibaba.com http://jblchj.cn.alibaba.comQQ：908152203QUICK REFERENCE DATA SYMBOLPARAMETERMAX.MAX.MAX.UNIT BT138-500E600E800E VDRMRepetitive peak off-state voltages500600800VIT(RMS)ITSMRMS on-state current Non-repetitive peak on-state12 9512 9512 95A A current LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT -500-600-800 VDRMRepetitive peak off-state -50016001800V voltages AIT(RMS)ITSMRMS on-state current Non-repetitive peakfull sine wave; Tmb £99 °C full sine wave; Tj= 25 °C prior to-12 on-state currentsurge t = 20 ms-95A t = 16.7 ms-105AI2tI2t for fusingt = 10 ms-45A2sdIT/dtRepetitive rate of rise ofITM= 20 A; IG= 0.2 A; on-state current aft...
供应标准型双向可控硅BTA26(图)
信息内容：中国可控硅批发商Ø 产品类别：BTA26Ø 产品类别：25A 塑封 绝缘型双向可控硅-TRIACsØ 封装外形：TO-3PØ 管脚排列：T1-T2-GØ 特 点: 先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流，通态压降低。BTA/BTB24-25-26系列采用通孔或表面组装封装，适用于交流开关操作,在静态继电器,加热调节器,感应电机启动电路等应用中,该系列产品可用于执行通断功能,在照明变光器和电机速度控制等装置中,可用于相位控制操作.Ø因为具有十分优异的换向性能,无缓冲器（BTA/BTB.W和T25）特别适用于电感负载.内部陶瓷垫的采用,使BTA系列的电压绝缘引线(额定值2500V RMS)达到了UL标准(文件号:E81734) Ø 用 途 : 广泛应用于各种开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制Ø 电流/IT(RMS)：≤25AØ 电压/VDRM：≥600VØ 触发电流/IGT： IGT: 35-50mAØ 触发电压/VGT： ≤1.3 VØ 门极散耗功率：1.1WØ 工作温度...
