INFINEON场效应管SPW47N60C3现货
| 价 格： | 0.01 | |
| 封装外形： | TO-247-3 | |
| 型号/规格： | SPW47N60C3 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 沟道类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.07 Ohms
汲极/源极击穿电压: 650 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 47 A
功率耗散: 415 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 240
零件号别名: SPW47N60C3XK
- 所属城市：广东 深圳
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FSC仙童场效应管 FQP47P06 全新原装/拆机场效应管
信息内容：dzsc/19/0789/19078948.jpg FSC仙童场效应管 FQP47P06 全新原装/拆机散新场效应管 FSC仙童场效应管 FQP47P06 全新原装/拆机散新场效应管FQP47P06产品规格 参数 PDF Datasheets FQP47P06Product Photos TO-220-3, TO-220ABProduct Training Modules High Voltage Switches for Power ProcessingCatalog Drawings MOSFET TO-220FStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries QFET™FET Type MOSFET P-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 60VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 47ARds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 23.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 3600pF @ 25VPower - Max 160WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220Packaging TubeCatalog Page 1387 (US2011 PDF) 大量仙童现货场效应管,二、三极管,PWM,IGBT供应.特价清仓,现货热卖:TIP41/42-CTUTIP31/32-CTUSGH15N60RUFDTUKSP94KA7805IRF840BIRF740BFSQ211FSDM0365RNBFSDM0265RNBFQU2N...
专营场效应管 FQPF8N60C
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.2 Ohms 正向跨导 gFS（值/最小值） : 8.7 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 7.5 A 功率耗散: 48 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: FQPF8N60C_NL
