专营场效应管 FQPF8N60C
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQPF8N60C | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 11（V） | |
| 夹断电压： | 11（V） | |
| 跨导： | 11（μS） | |
| 极间电容： | 11（pF） | |
| 低频噪声系数： | 11（dB） | |
| 漏极电流： | 11（mA） | |
| 耗散功率： | 11（mW） |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.2 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 8.7 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 7.5 A
功率耗散: 48 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: FQPF8N60C_NL
- 所属城市：广东 深圳
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进口原装/拆机场效应管 IRFP4668 IRFP4668PBF
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【墨西哥IR进口原装场效应管】IRFB52N15DPBF FB52N15D
信息内容：【墨西哥IR进口原装场效应管/三极管】IRFB52N15DPBF FB52N15D 【墨西哥IR进口原装场效应管/三极管】IRFB52N15DPBF FB52N15D IRFB52N15DPBF FB52N15D产品规格 参数 Datasheets IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbFProduct Photos TO-220AB PKGCatalog Drawings IR Hexfet TO-220ABStandard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries HEXFET®FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 150VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 51ARds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 36A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 89nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 2770pF @ 25VPower - Max 3.8WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220ABPackaging TubeCatalog Page 1297 (US2011 Interactive)1297 (US2011 PDF)Other Names *IRFB52N15DPBF"
