全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 2（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 2（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F
全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F
IRG4BC30FD-S产品规格 参数
数据列表 IRG4BC30FD-SPbF
产品相片 D2PAK, TO-263
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor D2PAK
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A
电流 - 集电极 (Ic)（） 31A
功率 - 100W
输入类型 标准型
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 管件
产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRG4BC30FD-SPBF
IRG4BC30F G4BC30F产品规格 参数
数据列表 IRG4BC30F
产品相片 TO-220AB Pkg
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A
电流 - 集电极 (Ic)（） 31A
功率 - 100W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRG4BC30F
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
信息内容：全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G 全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G IPB042N10N3G产品规格 参数 PDF Datasheets IPx0(42,45)N10N3 GStandard Package 1,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries OptiMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss) 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100ARds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µAGate Charge (Qg) @ Vgs 117nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50VPower - Max 214WMounting Type Surface MountPackage / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263ABSupplier Device Package PG-TO263-3Packaging Tape & Reel (TR)Other Names IPB042N10N3GE8187ATMA1SP000939332 "
场效应管 SPW17N80C3
信息内容：制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 800 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 17 A 功率耗散: 208000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: SPW17N80C3XK "
