场效应管 SPW17N80C3
| 价 格： | 8.00 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | SPW17N80C3 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 43（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 32（dB） | |
| 漏极电流： | 23（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏极连续电流: 17 A
功率耗散: 208000 mW
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: SPW17N80C3XK
- 所属城市：广东 深圳
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VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十
信息内容：dzsc/19/0777/19077737.jpg制造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.55 Ohms 汲极/源极击穿电压: 400 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 10 A 功率耗散: 125 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 1000 VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十 VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十
INFINEON场效应管SPW47N60C3现货
信息内容：制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.07 Ohms 汲极/源极击穿电压: 650 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 47 A 功率耗散: 415 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 240 零件号别名: SPW47N60C3XK
