全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | IPB042N10N3G | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
IPB042N10N3G产品规格 参数 PDF
Datasheets IPx0(42,45)N10N3 G
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series OptiMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50V
Power - Max 214W
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263AB
Supplier Device Package PG-TO263-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB042N10N3GE8187ATMA1
SP000939332
"
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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场效应管 SPW17N80C3
信息内容：制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 800 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 17 A 功率耗散: 208000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: SPW17N80C3XK "
VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十
信息内容：dzsc/19/0777/19077737.jpg制造商: Vishay 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.55 Ohms 汲极/源极击穿电压: 400 V 闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流: 10 A 功率耗散: 125 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 1000 VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十 VISHAY进口原装场效应管 IRF740 IRF740PBF 假一赔十
