供应三菱模块CM400HA-24E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM400HA-24E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
北京京丰实创科技有限公司经销品牌功率器件：三菱，富士，英飞凌，东芝，三社，三肯，西门子，西门康，日立，IXYS,IR,eupec，等功率模块，GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅，ABB,整流桥，二极管，场效应及驱动电路，进口电解电容，快速熔断器，电源模块。
IGBT工作特性中的静态特性：
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
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供应QM30HA-H三菱模块
信息内容：供应QM30HA-H三菱模块 1. IGBT模块的选定 在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。 a. 电流规格 IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。 一般来说，要将集电极电流的值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。 b.电压规格 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。 元器件电压规格 600V 1200V 1400V 电源 电压 200V；220V；230V；240V ...
供应三菱模块QM200HA-H
信息内容：供应三菱模块QM200HA-H 防止静电 IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。 在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10kΩ左左的电阻为宜。 此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点： 1) 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。 2) 在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。 3) 尽量在底板良好接地的情况下操作。 4) 当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。 5) 在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。 6) 装部件的容器，请选用不带静电的容器。 相似型号： 型号（1单元600V）GTR技术指标 型号（1单元600V）GTR 技术...
