类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF1407PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.5A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 730 毫欧 @ 4.75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 57nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F 包装 管件"
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 3.7A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)() 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 633pF @ 10V 功率 - 1.3W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 Micro3™/SOT-23 包装 剪切带 (CT) 其它名称 *IRLML6402TRIRLML6402IRLML6402-NDIRLML6402CT