供应 IC 芯片IRLML6402TR原装进口
| 价 格： | 0.45 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRLML6402TR | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MIX/混频 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 3.7A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（） 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 633pF @ 10V
功率 - 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 Micro3™/SOT-23
包装 剪切带 (CT)
其它名称 *IRLML6402TR
IRLML6402
IRLML6402-ND
IRLML6402CT
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF640N原装进口
信息内容：晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:18A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:150mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:150W功耗:150W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:18A热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V"
供应 IC 芯片IRF540N原装进口
信息内容：原装进口,特价现货,大量价格从优晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:27A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:52mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:94W功耗:94W器件标记:IRF540N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:33A热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a"
