供应 IC 芯片FQPF10N60C原装进口
| 价 格： | 2.60 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | FQPF10N60C | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.5A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 730 毫欧 @ 4.75A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V
功率 - 50W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 TO-220F
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRLML6402TR原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 3.7A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 633pF @ 10V 功率 - 1.3W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装 Micro3™/SOT-23 包装 剪切带 (CT) 其它名称 *IRLML6402TRIRLML6402IRLML6402-NDIRLML6402CT
供应 IC 芯片IRF640N原装进口
信息内容：晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:18A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:150mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:150W功耗:150W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:18A热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V"
