原装环保仙童场效应管FQP4N60
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQP4N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
| 产品图片 |
dzsc/19/0682/19068235.jpg |
| 产品特点 |
制造商: Fairchild Semiconductor |
| 仙童产品 |
供应仙童系列产品，品质保证！保证原装，符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1 FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60C FQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40 FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80 FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A FQP9N90C FQA90N08 FQA55N25 FQA62N25C FQA28N50 FQA24N60 FQP12N60 FQP70N10 FQA38N30 FQP17P06 FQP47P06 FQP12P20 FQP3P50 ISL9N304AP3 SFP9530/9540,SFP9630/9640,仙童系列IGBT系列:FGA25N135AND,FGA25N120AND FGA15N120AND HGTG18N120BND HGTG11N120CND HGTG10N120BND HGTG5N120BND SGP10N60RUFD SGH15N60RUFD SGH20N60RUFD SGH30N60RUFD SGL50N60RUFD FGL60N100BNTD FGH40N6S2/DF FK60N6S2D FGA50N60LS SGP13N60UFD SGH23N60UFD SGH40N60UFD SGH80N60UFD SGL160N60UFD FGH50N3S2 FGL60N100BNTD FGH50N3S2 FGA50N60LS FMG2G100US60 FMG2G150US60 FMG2G300US60 FMG2G400US60 FMG2G50US120 FMG2G75US120 FSM10SH60 FSM15SH60 FSM20SM60A FSAM30SM60A SGP13N60UFD SGP23N60UFD SGP40N60UFD SGP80N60UFD SGP160N60UFD HGTG12N60A4D HGTG20N60A4D HGTG30N60A4D FGH40N6S2/D,FGK60N6S2D超快恢复二极管:RHRP8120,RHRP15120,RHRP30120,RHRG30120,RHRG75120.ISL9R860P2,ISL9R1560P2,ISL9K1560G3,ISL9R3060G3,ISL9K3060G3,ISL9R30120G2,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFPF06U20DN,,FFA15U20DN,FFA30U20DN,FFPF10U30DN,FFA15U40DN,FFA20U40DN,FFPF20U60S,FFPF10U60DN,FFA20U60DN,FFA30U60DN,FFA60U60DN.肖特基二极管:MBRP1545N,MBRA3045,FYP2010DN,FYP3010DN 等一系列仙童产品,欢迎新老客户咨询! |
T5灯具节能的重大意义
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| 产品应用 |
我公司经营Fairchild全系列产品,IGBT、MOSFET、快恢复二极管、驱动IC、控制IC等。主要应用于UPS电源、逆变电源、变频电源、通信电源、电动车.HID等汽车电子提供全方位的服务 |
| 公司地址 |
我所在位置（标题 图片） dzsc/19/0682/19068235.jpg |
| 联系方式 |
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全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F
信息内容：全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F 全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F IRG4BC30FD-S产品规格 参数 数据列表 IRG4BC30FD-SPbF 产品相片 D2PAK, TO-263 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor D2PAK 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A 电流 - 集电极 (Ic)（） 31A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30F G4BC30F产品规格 参数 数据列表 IRG4BC30F 产品相片 TO-220AB Pkg 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 1.8V @ 15V, 17A 电流 - 集电极 (Ic)（） 31A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRG4BC30F
全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G
信息内容：全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G 全新原装场效应 MOS管 IPB042N10N3G IPB042N10N3G产品规格 参数 PDF Datasheets IPx0(42,45)N10N3 GStandard Package 1,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries OptiMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss) 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100ARds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µAGate Charge (Qg) @ Vgs 117nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50VPower - Max 214WMounting Type Surface MountPackage / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263ABSupplier Device Package PG-TO263-3Packaging Tape & Reel (TR)Other Names IPB042N10N3GE8187ATMA1SP000939332 "
