供应 IC 芯片IRF5305原装进口
| 价 格： | 2.50 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF5305 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 110W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF5305PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF1407原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1407PBF "
供应 IC 芯片FQPF10N60C原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.5A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 730 毫欧 @ 4.75A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 57nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V 功率 - 50W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F 包装 管件"
