价 格: | 0.01 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | SSF7509 | |
材料: | SIT静电感应 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
品牌/商标: | 硅能 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
产品图片 |
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产品特点 |
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 |
质量分析 |
全新原装环保;散新拆机包测,质量保证包退换 |
适用场地
公司地址 |
我所在位置(标题 图片) dzsc/19/0671/19067110.jpg |
联系方式 |
联系地址:广东省 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦) 联系电话:13410377061 |
公司简介 |
我们的公司: |
产品图片dzsc/19/0682/19068235.jpgdzsc/19/0682/19068235.jpg产品特点制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 2.2 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 4 S 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 4.4 A 功率耗散: 106 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP4N60_NL 仙童产品 供应仙童系列产品,品质保证!保证原装,符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1 FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60C FQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40 FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80 FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A...
全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F 全新现货供应 原装 IRG4BC30FD-S IRG4BC30F G4BC30F IRG4BC30FD-S产品规格 参数 数据列表 IRG4BC30FD-SPbF 产品相片 D2PAK, TO-263 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor D2PAK 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 1.8V @ 15V, 17A 电流 - 集电极 (Ic)() 31A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRG4BC30FD-SPBF IRG4BC30F G4BC30F产品规格 参数 数据列表 IRG4BC30F 产品相片 TO-220AB Pkg 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 1.8V @ 15V, 17A 电流 - 集电极 (Ic)() 31A 功率 - 100W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRG4BC30F