价 格: | 3.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF4905 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-P-FET锗P沟道 |
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V 功率 - 110W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF5305PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1407PBF "