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供应 IC 芯片IRF4905原装进口

价 格: 3.80
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF4905
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-P-FET锗P沟道

 

  • PDF文档链接
  • http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/68156/IRF/IRF4905.html
  • 晶体管极性:P通道
  • 电流, Id 连续:64A
  • 电压, Vds :55V
  • 在电阻RDS(上):20mohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
  • 功耗, Pd:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:150W
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:-74A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:55V
  • 电压, Vds 典型值:-55V
  • 电压, Vgs :-4V
  • 电流, Idm 脉冲:260A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • 针脚配置:a

 

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 IC 芯片IRF5305原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V 功率 - 110W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF5305PBF

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供应 IC 芯片IRF1407原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 75V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5600pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1407PBF "

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