供应CM200DY-12H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM200DY-12H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应CM200DY-12H三菱模块
CM200DY-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 200A 电流 - 集电极 (Ic)（）200A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)20nF @ 10V 功率 - 780W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 IGBT 原理IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流); 空穴电流(双极)。
CM300HA-12H CM200HA-24HCM400HA-12H CM300HA-24H
CM600HA-12H CM400HA-24H
CM600HU-12H CM600HA-24H CM400HU-24H CM600HU-24H
CM200HU-24H CM800HA-24H CM300HU-24H CM1000HA-24H
CM300HA-12E CM200HA-24E CM400HA-12E CM300HA-24E CM600HA-12E
CM400HA-24E CM600HU-12E CM600HA-24ECM400HU-24E CM600HU-24E
- 所属城市：北京 北京市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱青
- 电话：010-59264989/59946198
- 传真：010-59919079
- 手机：13901002894
- QQ ：
供应三菱模块CM400HA-24E
信息内容：北京京丰实创科技有限公司经销品牌功率器件：三菱，富士，英飞凌，东芝，三社，三肯，西门子，西门康，日立，IXYS,IR,eupec，等功率模块，GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅，ABB,整流桥，二极管，场效应及驱动电路，进口电解电容，快速熔断器，电源模块。 IGBT工作特性中的静态特性： IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指...
供应QM30HA-H三菱模块
信息内容：供应QM30HA-H三菱模块 1. IGBT模块的选定 在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。 a. 电流规格 IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150oC以下（通常为安全起见，以125oC以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。 一般来说，要将集电极电流的值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。 b.电压规格 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。 元器件电压规格 600V 1200V 1400V 电源 电压 200V；220V；230V；240V ...
