供应三菱模块CM300DY-12H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM300DY-12H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
CM300DY-12H 参数
标准包装1
类别半导体模块 家庭
IGBT 类型-
配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（）
Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 300A
电流 - 集电极 (Ic)（）300A
电流 - 集电极截止（）1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)30nF @ 10V
功率 - 1100W
输入标准型
NTC 热敏电阻
正如图 1-2所表示的理想的等效电路那样，IGBT 是pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS 晶体管。此外，IGBT 与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET 的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS 晶体管的区别就在于功率MOSFET 部的通态电阻。在IGBT 中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小，再考虑到芯片间需要布线这一点，IGBT 比混合级联型Bi-MOS 晶体管优越。
dzsc/19/0640/19064085.jpg图 1-2 理想的等效电路
CM20TF-12H CM20TF-24H CM30TF-12H CM30TF-24H
CM50TF-12H CM50TF-24H CM75TF-12H CM75TF-24H
CM100TF-12H CM100TF-24H CM150TF-12H CM50TF-28H CM75TU-12H CM50TU-24H
CM100TU-12H CM75TU-24H CM150TU-12H CM100TU-24H
CM15TF-12E CM15TF-24E CM20TF-12E CM20TF-24E CM30TF-12E CM30TF-24E
CM50TF-12E CM50TF-24E CM75TF-12E CM75TF-24E
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供应CM200DY-12H三菱模块
信息内容：供应CM200DY-12H三菱模块 CM200DY-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 200A 电流 - 集电极 (Ic)（）200A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)20nF @ 10V 功率 - 780W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 IGBT 原理 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流); 空穴电流(双...
供应三菱模块CM400HA-24E
信息内容：北京京丰实创科技有限公司经销品牌功率器件：三菱，富士，英飞凌，东芝，三社，三肯，西门子，西门康，日立，IXYS,IR,eupec，等功率模块，GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅，ABB,整流桥，二极管，场效应及驱动电路，进口电解电容，快速熔断器，电源模块。 IGBT工作特性中的静态特性： IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指...
