供应三菱模块CM300E3Y-12E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM300E3Y-12E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块CM300E3Y-12E
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E
CM75DY-24H CM50E3Y-24E CM100DY-24H CM75E3Y-24E
CM150DY-24H CM100E3Y-24E CM200DY-24H CM150E3Y-24E
CM300DY-24H CM200E3Y-24E CM50DU-24H CM50E3U-24E
CM75DU-24H CM75E3U-24E CM100DU-24H CM100E3U-24E
CM150DU-24H CM150E3U-24E CM200DU-24H CM200E3U-24E
公司一直本着“质量，价格合理，交货快捷，客户至上”的经营宗旨，公司货源一手，在广大用户的大力支持下，业务日益发展。公司经营的电力功率模块，主要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶舰艇，变频设备等高科 技领域。
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供应三菱模块CM300DY-12H
信息内容：CM300DY-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 300A 电流 - 集电极 (Ic)（）300A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)30nF @ 10V 功率 - 1100W 输入标准型 NTC 热敏电阻 正如图 1-2所表示的理想的等效电路那样，IGBT 是pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS 晶体管。此外，IGBT 与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET 的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS 晶体管的区别就在于功率MOSFET 部的通态电阻。在IGBT 中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小，再考虑到芯片间需要布线这一点，IGBT 比混合级联型Bi-MOS 晶体管优越。 dzsc/19/0640/19064085.jpg图 1-2 理想的等效电路 CM20TF-12H CM20TF-24H CM30TF-12H CM30TF-24H CM50TF-12H CM50TF-24H CM75TF-12H CM75TF-24H CM100TF-12H CM100TF-24H CM150TF-12H CM50TF-28H CM75TU-12H CM50TU-24H CM100TU-12H CM75TU-24H CM150TU-12H CM100TU-24H CM15TF-1...
供应CM200DY-12H三菱模块
信息内容：供应CM200DY-12H三菱模块 CM200DY-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 200A 电流 - 集电极 (Ic)（）200A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)20nF @ 10V 功率 - 780W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 IGBT 原理 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流); 空穴电流(双...
