供应CM400DY-12H三菱模块
CM400DY-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)2.8V @ 15V, 400A 电流 - 集电极 (Ic)()400A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)40nF @ 10V 功率 - 1500W 输入标准型 NTC 热敏电阻 CM200DY-12H CM200E3Y-12E CM300DY-12H CM300E3Y-12E
供应三菱模块CM300E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E CM75DY-24H CM50E3Y-24E CM100DY-24H CM75E3Y-24E CM150DY-24H CM100E3Y-24E CM200DY-24H CM150E3Y-24E CM300DY-24H CM200E3Y-24E CM50DU-24H CM50E3U-24E CM75DU-24H CM75E3U-24E CM100DU-24H CM100E3U-24E CM150DU-24H CM150E3U-24E CM200DU-24H CM200E3U-24E 公司一直本着“质量,价格合理,交货快捷,客户至上”的经营宗旨,公司货源一手,在广大用户的大力支持下,业务日益发展。公司经营的电力功率模块,主要用于航天航空,机场设施,电机调速,矿山焊机,船舶...
CM300DY-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)2.8V @ 15V, 300A 电流 - 集电极 (Ic)()300A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)30nF @ 10V 功率 - 1100W 输入标准型 NTC 热敏电阻 正如图 1-2所表示的理想的等效电路那样,IGBT 是pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS 晶体管。此外,IGBT 与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET 的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS 晶体管的区别就在于功率MOSFET 部的通态电阻。在IGBT 中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小,再考虑到芯片间需要布线这一点,IGBT 比混合级联型Bi-MOS 晶体管优越。 dzsc/19/0640/19064085.jpg图 1-2 理想的等效电路 CM20TF-12H CM20TF-24H CM30TF-12H CM30TF-24H CM50TF-12H CM50TF-24H CM75TF-12H CM75TF-24H CM100TF-12H CM100TF-24H CM150TF-12H CM50TF-28H CM75TU-12H CM50TU-24H CM100TU-12H CM75TU-24H CM150TU-12H CM100TU-24H CM15TF-1...