供应三菱模块CM75DU-12H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM75DU-12H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块CM75DU-12H
CM75DU-12H 参数 标准包装3 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）3V @ 15V, 75A 电流 - 集电极 (Ic)（）75A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)6.6nF @ 10V 功率 - 310W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12ECM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E
CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E
CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E
CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E IGBT与MOSFET的对比 MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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供应CM400DY-12H三菱模块
信息内容：供应CM400DY-12H三菱模块 CM400DY-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 400A 电流 - 集电极 (Ic)（）400A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)40nF @ 10V 功率 - 1500W 输入标准型 NTC 热敏电阻 CM200DY-12H CM200E3Y-12E CM300DY-12H CM300E3Y-12E CM400DY-12H CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E 北京京丰实创科技有限公司经销品牌功率器件：三菱，富士，英飞凌，东芝，三社，三肯，西门子，西门康，日立，IXYS,IR,eupec，等功率模块，GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅，ABB,整流桥，二极管，场效应及驱动电路，进口电解电容，快速熔断器，电源模块， 欢迎定购，价格从优。
供应三菱模块CM300E3Y-12E
信息内容：供应三菱模块CM300E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E CM75DY-24H CM50E3Y-24E CM100DY-24H CM75E3Y-24E CM150DY-24H CM100E3Y-24E CM200DY-24H CM150E3Y-24E CM300DY-24H CM200E3Y-24E CM50DU-24H CM50E3U-24E CM75DU-24H CM75E3U-24E CM100DU-24H CM100E3U-24E CM150DU-24H CM150E3U-24E CM200DU-24H CM200E3U-24E 公司一直本着“质量，价格合理，交货快捷，客户至上”的经营宗旨，公司货源一手，在广大用户的大力支持下，业务日益发展。公司经营的电力功率模块，主要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶...
