CM100DU-12H三菱模块
CM100DU-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)3V @ 15V, 100A 电流 - 集电极 (Ic)()100A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)8.8nF @ 10V 功率 - 400W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E
供应三菱模块CM75DU-12H CM75DU-12H 参数 标准包装3 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)3V @ 15V, 75A 电流 - 集电极 (Ic)()75A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)6.6nF @ 10V 功率 - 310W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E IGBT与MOSFET的对比 MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IG...
供应CM400DY-12H三菱模块 CM400DY-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)2.8V @ 15V, 400A 电流 - 集电极 (Ic)()400A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)40nF @ 10V 功率 - 1500W 输入标准型 NTC 热敏电阻 CM200DY-12H CM200E3Y-12E CM300DY-12H CM300E3Y-12E CM400DY-12H CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E 北京京丰实创科技有限公司经销品牌功率器件:三菱,富士,英飞凌,东芝,三社,三肯,西门子,西门康,日立,IXYS,IR,eupec,等功率模块,GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅,ABB,整流桥,二极管,场效应及驱动电路,进口电解电容,快速熔断器,电源模块, 欢迎定购,价格从优。