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供应CM100DU-12H三菱模块

价 格: 面议
型号/规格:CM100DU-12H
品牌/商标:三菱

CM100DU-12H三菱模块

CM100DU-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)3V @ 15V, 100A 电流 - 集电极 (Ic)()100A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)8.8nF @ 10V 功率 - 400W 输入标准型 NTC 热敏电阻 安装类型底座安装 CM100DU-12H  CM100E3U-12ECM150DU-12H  CM150E3U-12E
CM200DU-12H  CM200E3U-12E CM300DU-12H  CM300E3U-12E
CM100DY-12E  CM200DU-12E CM150DY-12E  CM300DU-12E
CM200DY-12E  CM400DU-12E CM300DY-12E  CM400DY-12E
模块简介
  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。   若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率

 

北京京丰实创科技有限公司
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供应CM400DY-12H三菱模块

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