供应CM100E3U-12E三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM100E3U-12E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应CM100E3U-12E三菱模块
使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E
CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E
CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E
CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E
CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E
- 所属城市：北京 北京市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱青
- 电话：010-59264989/59946198
- 传真：010-59919079
- 手机：13901002894
- QQ ：
供应CM100DU-12H三菱模块
信息内容：CM100DU-12H三菱模块 CM100DU-12H 参数 标准包装2 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）3V @ 15V, 100A 电流 - 集电极 (Ic)（）100A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)8.8nF @ 10V 功率 - 400W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E 模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中...
供应三菱模块CM75DU-12H
信息内容：供应三菱模块CM75DU-12H CM75DU-12H 参数 标准包装3 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）3V @ 15V, 75A 电流 - 集电极 (Ic)（）75A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)6.6nF @ 10V 功率 - 310W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12ECM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM100DY-12E CM200DU-12E CM150DY-12E CM300DU-12E CM200DY-12E CM400DU-12E CM300DY-12E CM400DY-12E IGBT与MOSFET的对比 MOSEFT全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IG...
