供应 RJH60F5DPK 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | Hitachi/日立 | |
| 型号： | RJH60F5DPK | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压： | 0（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） | |
| 类型： | 其他IC |
| 品牌 | RENESAS | 型号 | RJH60F5DPK |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 5（μS） | 极间电容 | 47（pF） |
| 漏极电流 | 1（mA） |
- 所属城市：北京 北京
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HAT2160H-EL-E 现货
信息内容：HAT2160H-EL-E产品货号：ES2011512651236产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK环保属性： 功能参数FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：2.6 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：60AId 时的 Vgs(th)（）：2.3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs：54nC @4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7750pF @ 10V功率 - ：30W安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片）包装：带卷 (TR)
HAT2173H-EL-E 现货
信息内容：HAT2173H-EL-E产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK环保属性： FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：15 毫欧 @ 12.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss)：100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：25A Id 时的 Vgs(th)（）：6V @ 20mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：61nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4350pF @ 10V 功率 - ：30W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） 包装：带卷 (TR)
