HAT2160H-EL-E 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | HIT日本日立/HAT2160H-EL-E | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 0（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
HAT2160H-EL-E
产品货号：ES2011512651236
产品品牌：Renesas Electronics
产品分类：MOSFET，GaNFET - 单
产品描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
环保属性：
- 功能参数
| MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
| 逻辑电平门 | |
| 2.6 毫欧 @ 30A, 10V | |
| 20V | |
| 60A | |
| 2.3V @ 1mA | |
| 54nC @ 4.5V | |
| 7750pF @ 10V | |
| 30W | |
| 表面贴装 | |
| SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） | |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：北京 北京
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HAT2173H-EL-E 现货
信息内容：HAT2173H-EL-E产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK环保属性： FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：15 毫欧 @ 12.5A, 10V 漏极至源极电压(Vdss)：100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：25A Id 时的 Vgs(th)（）：6V @ 20mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：61nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4350pF @ 10V 功率 - ：30W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） 包装：带卷 (TR)
HAT2169H-EL-E 现货
信息内容：HAT2169H-EL-E产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK环保属性： 功能参数FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：3.5 毫欧 @ 25A, 10V 漏极至源极电压(Vdss)：40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：50A Id 时的 Vgs(th)（）：2.5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6650pF @ 10V 功率 - ：30W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） 包装：带卷 (TR)
