HAT2173H-EL-E 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | HIT日本日立/HAT2173H-EL-E | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 封装外形： | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 0（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
HAT2173H-EL-E
产品品牌：Renesas Electronics
产品分类：MOSFET，GaNFET - 单
产品描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
环保属性：
| MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
| 标准型 | |
| 15 毫欧 @ 12.5A, 10V | |
| 100V | |
| 25A | |
| 6V @ 20mA | |
| 61nC @ 10V | |
| 4350pF @ 10V | |
| 30W | |
| 表面贴装 | |
| SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） | |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：北京 北京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱帅民
- 电话：86 010 62311058/62327154
- 传真：86 010 62322116
- 手机：
- QQ ：
HAT2169H-EL-E 现货
信息内容：HAT2169H-EL-E产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK环保属性： 功能参数FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：3.5 毫欧 @ 25A, 10V 漏极至源极电压(Vdss)：40V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：50A Id 时的 Vgs(th)（）：2.5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6650pF @ 10V 功率 - ：30W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SOT-669-5, SC-100, MO-235（4 引线 接片） 包装：带卷 (TR)
HAT2195R-EL-E 现货
信息内容：HAT2195R-EL-E产品品牌：Renesas Electronics产品分类：MOSFET，GaNFET - 单产品描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP环保属性： 功能参数FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25 C：5.8 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25 C：18AId 时的 Vgs(th)（）：-闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3400pF @ 10V功率 - ：2.5W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154",3.90mm 宽）包装：带卷 (TR)
