HAT2195R-EL-E 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | HIT日本日立/HAT2195R-EL-E | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 0（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
HAT2195R-EL-E
产品品牌：Renesas Electronics
产品分类：MOSFET，GaNFET - 单
产品描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
环保属性：
- 功能参数
| MOSFET N 通道，金属氧化物 | |
| 逻辑电平门 | |
| 5.8 毫欧 @ 9A, 10V | |
| 30V | |
| 18A | |
| - | |
| 23nC @ 4.5V | |
| 3400pF @ 10V | |
| 2.5W | |
| 表面贴装 | |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） | |
| 带卷 (TR) |
北京达博志诚科技发展有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：北京 北京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱帅民
- 电话：86 010 62311058/62327154
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