N沟MOSF管IRF730AS
| 价 格： | 7.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF730AS | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 400（V） | |
| 夹断电压： | 4.5（V） | |
| 漏极电流： | 10（mA） | |
| 耗散功率： | 25（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF730AS/LPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 1 欧姆 @ 3.3A, 10V |
| 400V |
| 5.5A |
| 4.5V @ 250µA |
| 22nC @ 10V |
| 600pF @ 25V |
| 74W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
- 所属城市：广东 深圳
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供应MOSFET管IRF3710SPBF
信息内容：数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装D2PAK产品目录页面1476 (CN2010-11 Interactive)1476 (CN2010-11 PDF)其它名称IRF3710STRLPBF-NDIRF3710STRLPBFTR "
N沟MOSF管IRLL110
信息内容：数据列表IRLL110PBF产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 900mA, 5V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)250pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1380 (CN091-10 PDF)其它名称IRLL110PBFTR
