N沟MOSF管IRLL110
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | ZET英国XETEX | |
| 型号/规格： | IRLL110 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DIFF/差分放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 夹断电压： | 100（V） | |
| 漏极电流： | 15（mA） |
| IRLL110PBF |
| SOT-223 |
| IR(F,L)L Series Top IR(F,L)L Series Side |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 540 毫欧 @ 900mA, 5V |
| 100V |
| 2V @ 250µA |
| 6.1nC @ 5V |
| 1.5A |
| 250pF @ 25V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
| IRLL110PBFTR |
深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
N沟MOSF管NDT453N
信息内容：SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)890pF @ 15V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)
TVS二极管P6KE6.8-P6KE440A
信息内容：数据列表P6KE6.8 thru P6KE540A产品相片DO-15, DO-204AC Axial Unidirectional标准包装4,000类别过电压，电流，温度装置家庭TVS - 二极管系列TransZorb®电压 - 反向隔离（标准值）5.8V电压 - 击穿6.45V功率（瓦特）600W电极标记单向安装类型通孔封装/外壳DO-204AC, DO-15, 轴向供应商设备封装DO-204AC (DO-15)包装带卷 (TR)"
