价 格: | 3.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF3710SPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 25(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
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数据列表IRLL110PBF产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 900mA, 5V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)()2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)250pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1380 (CN091-10 PDF)其它名称IRLL110PBFTR
SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8AId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)890pF @ 15V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)