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供应MOSFET管IRF3710SPBF

价 格: 3.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF3710SPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
开启电压:100(V)
夹断电压:25(V)
跨导:0(μS)
极间电容:0(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:0(mA)
耗散功率:0(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRF3710(S,L)PbF
D2PAK, TO-263
IR Hexfet D2PAK
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
23 毫欧 @ 28A, 10V
100V
57A
4V @ 250µA
130nC @ 10V
3130pF @ 25V
200W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
带卷 (TR)
D2PAK
1476 (CN2010-11 Interactive)
1476 (CN2010-11 PDF)
IRF3710STRLPBF-ND
IRF3710STRLPBFTR

 

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深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
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公司相关产品

N沟MOSF管IRLL110

信息内容:

数据列表IRLL110PBF产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 900mA, 5V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)()2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)250pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1380 (CN091-10 PDF)其它名称IRLL110PBFTR

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N沟MOSF管NDT453N

信息内容:

SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8AId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)890pF @ 15V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)

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