N沟MOSF管NDT3055L。FAIRCHILD
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | NDT3055L | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压： | 60（V） | |
| 夹断电压： | 2（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
SOT-223, N沟MOSFET
| NDT3055L |
| SOT-223-4 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| MOSFET SOT-223 Pkg |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 100 毫欧 @ 4A, 10V |
| 60V |
| 4A |
| 2V @ 250µA |
| 20nC @ 10V |
| 345pF @ 25V |
| 1.1W |
| 表面贴装 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| SOT-223-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF730AS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF730AS/LPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 3.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5AId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 25V功率 - 74W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装管件供应商设备封装D2PAK
供应MOSFET管IRF3710SPBF
信息内容：数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装带卷 (TR)供应商设备封装D2PAK产品目录页面1476 (CN2010-11 Interactive)1476 (CN2010-11 PDF)其它名称IRF3710STRLPBF-NDIRF3710STRLPBFTR "
