价 格: | 1.91 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFU120NPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.4A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 5.6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 330pF @ 25V
功率 - 48W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装 I-Pak
包装 管件
产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFU120NPBF
类别 集成电路 (IC)家庭 PMIC - 照明,镇流器控制器系列 -类型 镇流器控制器 频率 34 ~ 86 kHz 电流 - 电源 10mA 电流 - 输出 230mA 电源电压 12.6 V ~ 15.4 V 工作温度 -25°C ~ 125°C 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SOICN 包装 管件 其它名称 *IR2520DSPBF
场效应管 MOSFET N TO-220 75V 140A 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:140A电压, Vds :75V在电阻RDS(上):7mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:330W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:330W功耗:330W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:140A热阻, 结至外壳 A:0.45°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:550A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7ohm